تشخیص پرتودیدگی سیب زمینی به وسیله اندازه‌گیری امپدانس الکتریکی

در این کار پژوهشی، هویت سیب زمینی پرتودیده (نوع آلفا)، به وسیلة امپدانس الکتریکی آن تعیین و بررسی شده است. اعمال جریان متناوبی حدود 3 میلی آمپر همراه با تغییردادن بسامد آن توسّط الکترودهای فلزّی که درون برشی از سیب زمینی فروبرده می‌شود، سبب تغییر امپدانس آن شده و در بسامدهای خاصّی تشخیص امکان‌پذیر می‌گردد. پارامترهای موردنظر عبارتند از: نسبت امپدانس‌ها از صفر تا 180 ثانیه  (Z0/Z180)پس از قراردادن الکترود در نمونه، همچنین نسبت آنها در بسامدهای بالا (kHz50) به بسامدهای پایین (kHz 5، 0.5، 0.05). نتایج آزمایشها نشان می‌دهند که افزایش مقدار دُز باعث افزایش امپدانس می‌شود، در صورتی که افزایش بسامد جریان موجب کاهش آن می‌گردد، به طوری که عملاً تشخیص نمونه‌های پرتودیده در بسامدهای بالاتر از  kHz50 امکان‌پذیر نخواهد بود. همچنین نسبت  Z50k/Z5kبه سبب بستگی داشتن به دُز جذب شده و تغییرات اندک آن در مدّت نگهداری نمونه‌ها بهترین پارامتر برای تعیین هویت نمونه‌های پرتودیده، حتی حدود 6 ماه پس از پرتودهی است و می‌توان با آن مقدار دُز را نیز برآورد کرد. از نتایج تجربی بدست آمده در بسامدهای ذکر شده نیز روابط ریاضی مناسبی که نمایانگر ارتباط امپدانس با دُز جذب شده و دمای اندازه‌گیری باشد در قالب سه فرمول استنتاج شد. با این فرمولها می‌توان مقدار دُز را در محدوده دمای اندازه‌گیری شده (°C35 - 20) با خطای حداکثر 8 درصد برآورد کرد.